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　　用真空蒸鍍、濺射沉積和離子鍍等物理方法可以制備幾乎所有單元素的塑料薄膜材料.在制備半導(dǎo)體薄膜材料中所遇到的主要問題是其組成、結(jié)晶性。雜質(zhì)濃度及分布等.一般來說，化學(xué)氣相沉積方法更適合于半導(dǎo)體薄膜材料的制備，目前通常采用PCVD方法制備各種半導(dǎo)體薄膜材料，其中包括化合物半導(dǎo)體薄膜材料的制備.到底選擇哪種方法，可以根據(jù)所要制備的薄膜材料，基板材料以及應(yīng)用要求慎重確定.

塑料薄膜制備方法的選擇

　　蒸發(fā)粒子能量小的真空蒸鍍方法，適用于制備半導(dǎo)體器件的配線電極和鈍化膜等.采用蒸發(fā)粒子能量大的濺射沉積方法時(shí)，應(yīng)考慮濺射損傷標(biāo)準(zhǔn)和防止損傷方法.但是，采用濺射沉積方法可以降低基板溫度，得到用其他方法很難得到或者不能得到的新的薄膜材料.在制備過程中，若需要摻雜，可以采用PCVD方法.此時(shí)用氣體原料，可以得到均勻摻雜的薄膜材料。